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Offres d'emploi 2021

Postes

Développement d'un pseudo-substrat relaxé à base d'InGaN porosifié par anodisation électroch H/F. Voir l'offre...
Poste de maitre de conférences au GPM Rouen. Voir l'offre...

 

Sujets de thèse

Etude des propriétés de transport électronique dans les transistors de puissance à base de GaN - Contact : Philippe Ferrandis

Développement de matériaux à base de nitrure d’aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultra-violettes - Contact : Julien Brault

 

Sujets de post-doc

NC State University (NCSU) has several post-doctoral position openings in the field of III-V semiconductors within the Departments of Electrical and Computer Engineering, and Materials Science and Engineering. Read more...

Une offre postdoctorale à l'EPFL : Postdoctoral positionon MOCVD growth of GaN for power electronics (12 mois)

Le LETI est à la recherche d'un candidat sur le dépôt de couches minces d’Al(Ga)N pour LEDs UV (18 mois)

Le LPMC à Palaiseau est à la recherche d'un candidat sur l'étude des effets de localisation dans les hétérostructures quantiques en nitrures semi-conducteurs (1 an avec possibilté d'extension à 2 ans).

CDD ingénieur-chercheur

LE LETI propose un sujet de recherche sur le dopage du GaN. Le poste est en CDD mais il faut savoir que l’activité GaN est en plein boum au Leti donc prometteuse en terme d’opportunités d’emploi à venir. On ne cherche pas forcément des spécialistes du GaN. Plutôt des candidats qui maîtrise la culture des semiconducteurs, des problèmes de dopage (ségrégation, activation, …) et des caractérisations afférentes, voire une connaissance de l’implantation.
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Sujets de stage

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Autres offres

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