Offres d'emploi 2021
Postes |
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| Développement d'un pseudo-substrat relaxé à base d'InGaN porosifié par anodisation électroch H/F. Voir l'offre... | |
| Poste de maitre de conférences au GPM Rouen. Voir l'offre... | |
Sujets de post-doc |
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| Material investigations for GaN power devices (post-doctoral fellowship) (EURAXESS Job Offer id: 742822) https://euraxess.ec.europa.eu/jobs/742822 | |
| Electrical characterizations of GaN power devices
(post-doctoral fellowship) (EURAXESS Job Offer id: 742892) https://euraxess.ec.europa.eu/jobs/742892 |
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NC State University (NCSU) has several post-doctoral position openings in the field of III-V semiconductors within the Departments of Electrical and Computer Engineering, and Materials Science and Engineering. Read more... |
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Une offre postdoctorale à l'EPFL : Postdoctoral positionon MOCVD growth of GaN for power electronics (12 mois) |
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Le LETI est à la recherche d'un candidat sur le dépôt de couches minces d’Al(Ga)N pour LEDs UV (18 mois) |
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Le LPMC à Palaiseau est à la recherche d'un candidat sur l'étude des effets de localisation dans les hétérostructures quantiques en nitrures semi-conducteurs (1 an avec possibilté d'extension à 2 ans). |
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CDD ingénieur-chercheur |
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| Ingenieur process - device and test structure realization for GaN power applications (Process engineer fellowship) (EURAXESS Job Offer id: 742882) https://euraxess.ec.europa.eu/jobs/742882 | |
LE LETI propose un sujet de recherche sur le dopage du GaN. Le poste est en CDD mais il faut savoir que l’activité GaN est
en plein boum au Leti donc prometteuse en terme d’opportunités d’emploi à venir. On ne cherche pas forcément des spécialistes du GaN.
Plutôt des candidats qui maîtrise la culture des semiconducteurs, des problèmes de dopage (ségrégation, activation, …) et des
caractérisations afférentes, voire une connaissance de l’implantation. |
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Sujets de stage |
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aucune offre actuellement |
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Autres offres |
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