Axe 5 - Capteurs (détecteurs, MEMS, capteurs physiques, chimiques, biologiques…)
Dans cet axe, nous développons la problématique des capteurs sous l’angle des propriétés physiques spécifiques au GaN. Parmi les différentes approches retenues, on peut citer d’une part la fabrication de dispositifs sur la base de principes déjà connus dans d’autres filières, mais permettant de débloquer un verrou lié au gap et/ou à l’environnement d’utilisation, tels que la température élevée ou d’autres combinaisons de facteurs (radiations, corrosion). D’autre part, les nitrures, leurs hétérostructures et les différents substrats utilisables seront mis à profit pour des transducteurs innovants à l’échelle physique ou au niveau du système.
Dispositifs MEMS
- MEMS à base de cantilevers : épitaxie, procédés, et caractérisation d’hétérostructures adaptées à la libération de partie mobiles
- Intégration de transducteurs électriques : actionneurs piézoélectriques, HEMTs
Dispositifs NEMS
- NEMS suspendus à transduction électromécanique intégrée
- Nanofils en approche bottom-up pour des applications de mesures type IS-FET
- Etude de dispositifs à ondes de surface ou de volume
Microsystèmes
- Capteurs de force avec co-intégration d’électronique
- Capteurs de masse opérable en milieu liquide
- Capteurs optiques
- Détecteurs supraconducteurs à photon unique à nanofils top-down
- Systèmes d’imagerie UV/EUV
Figure 1 : Micropoutres de GaN libérées sur subtrat silicium
(IEMN-CRHEA)
Responsable : M. Faucher , IEMN, Lille.