En contraste avec les 6 autres axes de GANEX qui recouvrent chacun une application ciblée particulière, cet axe est très large et il a vocation à être transverse. Il a pour objectif de regrouper des études amont nécessaires à une meilleure compréhension des matériaux. Il peut s’agir tout aussi bien d’études sur la croissance épitaxiale que d’analyses des propriétés des structures élaborées. Des aspects instrumentaux et technologiques font également partie de cet axe. La diversité des équipements de croissance, des outils de caractérisation et des thèmes abordés est résumée ci-dessous.
Le Centre de Recherche sur l’Hétéro-Epitaxie et ses Applications (Valbonne), l’Institut Nanosciences et Cryogénie (Grenoble), l’Institut Néel (Grenoble), Le Laboratoire de Photonique et de Nanostructures (Marcoussis), l’Institut d’Electronique Fondamentale (Orsay), l’Institut Pascal (Clermont-Ferrand), le Centre d’Elaboration de Matériaux et d’Etudes Structurales (Toulouse), l’Institut des Matériaux Jean Rouxel (Nantes), le Laboratoire de Physique du Solide (Orsay), le Groupement de Recherche Matériaux Microélectronique Acoustique Nanotechnologies (Tour), l’Unité Mixte Internationale Georgia Tech-CNRS (Metz), RIBER (Bezons), NOVASiC (Le Bourget du Lac).
Responsable : Jean-Christophe Harmand, LPN, CNRS, Marcoussis.