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Axe 4 - Electronique avancée haute fréquence

Cette tâche concerne les divers dispositifs RF, THz et opto-RF basés sur le matériau GaN. Les différentes études envisagées concernent l’analyse physique du matériau et des dispositifs, la croissance épitaxiale du matériau par MBE ou MOCVD, la réalisation technologique basée sur l’écriture et la lithographie électronique et les caractérisations physiques et électriques en vue de la fabrication de dispositifs susceptibles d’être développés par les industriels.

Carte de France avec localisataion et nom des partenaires du rpojets

Pour en savoir plus sur :

Dans cet axe, les partenaires impliqués dans GANEX sont ou ont été impliqués dans de nombreux projets financés par l’Union Européenne : (HYPHEN, ULTRAGAN, MORGAN, ROOTHZ), l’ANR (STARGAN, GABORE, TRANSNIT, CARDYNAL, HIPPOPP, CREATIVEPI, TERAGAN, GENGISKHAN, SATELLITE, NANOTHERMIC) et la DGA (KORRIGAN, HOT, HOMGAN, PLASMONIC).

Responsable : Jean-Claude Dejaeger, IEMN, Lille.