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Dispositifs RF

• Fabrication d’amplificateurs hyperfréquences de puissance ou faible bruit robustes
• Transistors basés sur le HEMT AlGaN/GaN ou InAlN/GaN avec une longueur de grille très courte
• Solutions innovantes telles que le transistor Vertical à électron chaud ou les transistors basés sur des nanofils ou nanorubans
• Solutions bas coût utilisant des épitaxies sur substrat silicium
• Analyse de la fiabilité des dispositifs
• Applications :
  • Nouvelles générations de radar bandes L ou S
  • Télécommunication sans fil multipoints
  • Dispositif de contremesure
  • Stations de base pour telecommunications mobiles
  • Liaisons satellites en bande Ka