Ganex | Projets 2012

Résultats

Collaboration

Réservé membres

Projets GaNeX retenus en 2012

Thèses

No	Sujet de thèse	Partenaire n°1	Partenaire n°2	Candidat	Date de soutenance
Thèse 1.1	Croissance et fabrication de DELs semi- et non-polaires sur Si	CRHEA	SILSEF +LETI	Michel Khoury	22/02/2016
Thèse 2.2	Spectroscopie d’une boîte quantique GaN unique dans une cavité planaire de faible facteur de qualité	L2C	CRHEA	Julien Selles	7/12/2015
Thèse 2.5	Composants photoniques ultimes à base de nanofils uniques de nitrure	INAC	IEF	Agnès Messanvi	16/12/2015
Thèse 3.2	Intégration de GaN et Si par l’épitaxie sur la même plaque en vue de réaliser un circuit de puissance	CRHEA	Sherbrooke	Rémi Comyn	8/12/2016
Thèse 4.2	Transistors HEMTs pour des applications de puissance hyperfréquence à > 40GHz	IEMN	OMMIC (CRHEA)	Philippe Altuntas Financement 50% OMMIC	1/12/2015
Thèse 4.5	Hétérostructures et Composés Nitrures AlN/c-BN à haute performance thermique pour composants de puissance GaN	IMN	IEMN ou LAAS	Salma Bensalem Cofinancement 50% Pays de la Loire	26/02/2016
Thèse 5.4	Materiaux avancés pour NEMS avec transducteur bas bruit à 1GHz	IEMN	CRHEA	Paul Leclaire	10/11/2015

Post-docs

No	Sujet de post-doc	Laboratoire	Durée (mois)	Candidat
PD 2.2	Process de matériaux nitrure pour la nanophotonique	IEF	24	Iannis Roland
PD 2.3	Laser à polaritons à base de GaN : pompage électrique, couche de cristaux photoniques. Simulation	I.Pascal	12	Hugo Terças
PD 6.1	Exploration des cellules photovoltaïques à base d’InGaN sur des substrats de silicium	CIMAP/INAC	24	Yi Wang/Luca Redaelli

Projets exploratoires

Les sujets exploratoires sont financés pour un an à hauteur de 20 k€.

Sujet exploratoire	Laboratoire	Collaboration
Comportement HT de dispositifs à base d’hétéro structures AlGaN/GaN	L2C
Propriétés piézoélectriques des fils GaN: récupération d'énergie	GREMAN
Semiconducteur ferromagnétique à GdN/SmN	CRHEA	Wellington (N.Z.) L2C
Modification du module de croissance pour la croissance de nanofils ternaires Ga(In)N	I Pascal