Projets GaNeX retenus en 2017
Thèses
Projet |
Sujet |
Partenaire n°1 |
Partenaire n°2 |
Candidat |
Co-financement |
Date soutenance |
| T2.61 | Exciton indirect | L2C (Vladimirova) | CRHEA | Francois Chiaruttini | ANR | 09/07/2020 |
| T2.62 | Détecteurs et lasers à cascade quantique THz | C2N (Julien) | CRHEA | Jovana Filipovic | ANR | NS* |
| T4.63 | Fiabilité
HEMT N-off |
IMS (Malbert) | OMMIC | Florent ALBANY | ANR | 17/12/2021 |
| T4.64 | TEM
quantitatif pour HEMT |
CIMAP (Ruterana) | III-V lab | Farah Bouazzaoui | Région | |
| T7.61 | Détecteur
neutron BN |
UMI-GT (Salvestrini) | L2C, C2N | Adama Mballo | UMI-GT | 15/12/2021 |
| T7.62 | Dopage
Si et O étudié par TEM |
CRHEA (Vennéguès) | IKZ | Valeria Bonito-Oliva | IKZ | |
| T7.63 | Propriétés
optiques de BN |
L2C (Cassabois) | C2n, UMI-GT | Christine Elias | ED | 01/12/2020 |
| T7.64 | GaN
sur graphène |
C2N (Harmand) | INAC | Camille Barbier | ERC | 18/03/2021 |
(*) NS : Non Soutenue
Post docs
Projet |
Sujet |
Partenaire 1 |
Partenaire 2 |
Candidat |
| PD1.61 | Nanopendeo de GaN | LETI (Feuillet) | CRHEA | Roy Dagher |
| PD3.61 | Dispositifs
HF : surface-interface |
CEMES (Martrou) | CRHEA, IEMN | Bulent BARIS |
| PD4.61 | Interface AlN/Si pour RF | IEMN (Defrance) | IEMN | |
| PD4.62 | HEMT AlN pour haute fréquence | CRHEA (Semond) | IEMN, CEMES | Stéphanie Renesson |
| PD4.63 | Diode Schottky | IEMN (Zaknoune) | CRHEA | Vinay Kumar Chinni |
| PD6.62 | Piezogenerateur | C2N (Gogneau) | INAC | Nikoletta Jegenyes |
| PD7.61 | Transition gap direct-indirect dans BN | C2N (Ouerghi) | L2C-CRHEA | Jihene Zribi |
Projets exploratoires
Projet |
Sujet |
Partenaire 1 |
Partenaire 2 |
Coût (k€) |
| PE1.61 | Dopage Ge de AlGaN pour LED UV |
INAC (Monroy) | LETI | |
| PE3.61 | Epitaxie localisée pour HEMT Noff |
LAAS (Morancho) | CRHEA | |
| PE7.61 | Caméra CCD deep UV |
L2C (Cassabois) | ||
| PE7.62 | Materiaux 2D sur GaN |
C2N (Ouerghi) |
Stages
Projet |
Sujet |
Partenaire (Encadrant) |
Candidat |
Durée (mois) |
Période |
| S1.61 | LEDUV-BQ-AlGaN |
CRHEA (Brault) | Joel Edouard NKECK | 5 | |
| S3.61 | Dopage
AlGaN:Si |
L2C (Contreras) | Ali Serhan Saad | 3 | |
| S5.61 | Gas
sensor based on GaN/Oxide NW |
C2N (Gogneau) | BUI Quang Chieu | 5 | |
| S7.61 | TEM
fort dopage |
CRHEA (Vennéguès) | 6 | Romain Cohen |
Travaux pratiques
Sujet |
Partenaire (Encadrant) |
Coût |
| Electronique avancée haute fréquence (RF, THz et opto-RF) |
EMN, Lille (Elhadj Dogheche) | 10 k€ |
Demie décharges d’enseignement
Sujet |
Partenaire (Encadrant) |
Coût |
| Electronique avancée haute fréquence (RF, THz et opto-RF) |
EMN, Lille (Elhadj Dogheche) | 10 k€ |