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Projets retenus en 2014

Thèses

No

Sujet

Partenaire n°1

Partenaire n°2

Candidat

Date de soutenance

Thèse 1.30 Emission dans le jaune : puits quantique InGaN polaire ou semi-polaire ? L2C CRHEA Thi Huong Ngo  
Thèse 2.30 Optique non linéaire dans AlGan CRHEA IEF, INAC Maksym Gromovyi  
Thèse 4.30 Fabrication top-down et bottom-up et étude des performances de HEMTs (In,Ga)AlN/GaN à nanorubans en modes d’enrichissement et de déplétion IEMN

UMI-GT 50% région Lorraine

Mohammed Boucherta  
Thèse 4.31 Du développement de modèles physiques de transistors HEMT GaN, à leur exploitation pour la conception de circuits RF robustes LAAS Sherbrooke 50% Sherbrooke Damien Saugnon  
Thèse 7.30 GaN semipolaire : de la détermination des paramètres fondamentaux du matériau à la réalisation de dispositifs performants
Semipolar GaN : from the determination of fundamental parameters to the fabrication of efficient devices
CRHEA L2C, IEF    
Thèse 7.31 Hétérostructures à base de h-BN et Graphène LPN 80% CRHEA 20% Hugo Henck  

Total: 6 thèses pour un total de 5 thèses pleines

Post docs

No

Sujet

Laboratoire

Durée (mois)

Candidat

PD 3.30 Caractérisation électrique d’hétéro-structures AlGaN/GaN isolées LETI EXAGAN 12 Janina Moereke
PD 6.30 InGaN-based photovoltaic cells (1 year duration) UMI-GT LPN 12 (01/07/14 au 30/06/15) Suresh Sundaram

Total : 2 ans de post doc

Projets exploratoires

No

Sujet

Partenaire 1

Partenaire 2

Coût (k€)

PE 2.30 Autocorrélation cluster AlGaN INAC   16.5
PE 2.31 Détecteur photon unique en NbN / GaN INAC LETI 20
PE 7.30 Cellule plasma pour EJM INAC RIBER 20

Total : 3 PE pour un total de 56.5 k€

Stages

Projet

Sujet

Partenaire

Encadrant

Période

Candidat

Stage 2.30 Etudes structurales et optiques de pyramides en GaN CRHEA Semond 19/05/2014 - 08/08/2014 Renan Lethiecq
Stage 2.31 Mesure d’indice en fonction de l’injection électrique IEMN Dogheche 21/04/2014 - 18/07/2014 RakiI Hamza
Stage 3.30 Caractérisation AlN recuit post implantation IMN / GREMAN   03/03/2014 - 29/08/2014

Riad Ahmed Benmezdad

Stage 6.30 Nanostructures for Advanced PV Devices INAC   03.03.2014 - 31.07.2014 M. Akhil AJAY
Stage 7.30 GaN sur ZnO CRHEA Brault 04-06/2014 Alain Abou Khalil

 

Investissement

Projet

Sujet

Partenaire

Coût (k€)

Inv 2.30 Plate forme optique UV et expérience de corrélation de photons L2C 150
Inv 3.30 Banc mesure pulsé 1000V IEMN 70
Inv 7.30 MOVPE chlorée INAC 74
Inv 7.31 Station de mesure basse température INAC 100
Inv 7.32 TR-CL (cofinancement du projet) LPN/IEF 160