Projets GaNeX retenus en 2016
Thèses
Sous réserve de cofinancement pour certains sujets, liste non définitive.
Total: 11 thèses, dont certaines en cofinancement, et sous réserve du cofinancement.
(*) NS : Non Soutenue
Post docs
Projet |
Sujet |
Laboratoire |
Durée (mois) |
Candidat |
| PD 5.51 | Filière GaN sur Si (MEMS ; HEMT) | IEMN (Faucher) |
12 mois | Valeria Lacatena |
| PD 6.51 | Piezo-generators based on heterostructured III-Nitride NWs | LPN (Gogneau) |
12 mois | Nikoletta Jegenyes |
| PD 7.52 | Templates AlN sur Silicium (prolongation) | CRHEA (Semond) |
6 mois | Stéphanie Rennesson |
| PD 7.53 | BN pour l’intégration de composants opto/électroniques | UMI-GT (Salvestrini) |
12 mois | Xin Li |
Total : 4.5 an de post doc
Projets exploratoires
Projet |
Sujet |
Partenaire 1 |
Partenaire 2 |
Coût (k€) |
| PE 1.52 | Jonction tunnel pour LED UV | CRHEA (Brault) |
LETI-IEF | 9 k€ |
| PE 2.51 | BN liftoff | LPN (Bouchoule) |
UMI-GT | 10 k€ |
| PE 3.51 | Innovative thermal management in GaN-on-Si power devices integrated within backside trenches | IEMN (Medjdoub) |
14 k€ | |
| PE 4.53 | Transistors HEMT AlN/GaN/AlN épitaxiés sur silicium | CRHEA (Semond) |
12 k€ | |
| PE 5.51 | Des nanofils coeur/coquille GaN/Ga2O3 à la détection de gaz | LPN (Gogneau) |
10 k€ | |
| PE 5.52 | Piézorésistance et piézoélectricité dans le GaN : du dopage au transducteur MEMS | IEMN (Faucher) | CRHEA | 15k€ |
| PE 5.53 | Modulation des propriétés optiques de membranes de GaN/InGaN via un actionnement piézoélectrique | CRHEA (Damilano) | IEMN | 10 k€ |
| PE 5.54 | Réalisation d’une sonde échographique de type PMUT à base de GaN | GREMAN (Alquier) |
IEMN, CRHEA | 20 k€ |
Total : 8 PE pour un total de 100 k€.
Stages
Projet |
Sujet |
Partenaire (Encadrant) |
Candidat |
Durée (mois) |
Période |
| S1.51 | BQ UV | CRHEA (Brault) | Takfarinas Belayel | 3 | |
| S2.51 | Metasurfaces | CRHEA (Genevet) | Mathieu Chassoulier | 2 | |
| S2.52 | VCSEL UV | LPN (Bouchoule) | Jérémie Arotce | 4 | |
| S7.51 | NW InGaN | INAC (Daudin) | 3 |
Total : 12 mois.
Les stages sont supportés au niveau de l’indemnité CNRS-Université, de 546
€ par mois
Investissement
Projet |
Sujet |
Partenaire |
Coût (k€) |
| Inv 4.51 | Extension en bande Ka d’un banc de stress thermique et RF pour l’analyse et le suivi des défauts électriques dans les transistors et circuits GaN | LAAS (Tartarin) | 55 |
| Inv 7.51 | Four de croissance de Nitrures à Haute Température | CRHEA (Michon) | 116 |
| Inv 7.52 | Cryostat circuit fermé He | L2C (Gil) | 72 |
Décharges d’enseignement
Aucune demande
Cours hors site en M1, de Benjamin Damilano à Orléans
Porteurs : Arnaud Stolz (Orléans) / Benjamin Damilano (CRHEA)
Mise en place d’un cours et d’un TP de fabrication de LED à Polytech
Orléans. Le CRHEA fournira des plaques épitaxiées brutes.
- Epitaxie de 8 plaques 2 pouces
- Cours de B. Damilano à Orléans
TOTAL : 5 k€
Chaire
La demande de Elhadj Dogheche (IEMN) d’invitation du Professeur Jr-Hau (J.H.) He a été acceptée. Budget 3.5k€. JH He sera accueilli 2 semaines, au sein de l’IEMN Lille. Il proposera 2 séminaires sur les matériaux pour la photonique et à l’optoélectronique, les perspectives d’application des nitrures dans le cas de la haute fréquence.