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Projets retenus en 2016

Thèses

Sous réserve de cofinancement pour certains sujets, liste non définitive.

Projet

Sujet

Partenaire n°1

Partenaire n°2

Candidat

Date de soutenance

T 1.51 LED Flexibles à base de Nanofils de Nitrures de Gallium INAC (Eymery) IEF Akanksha Kapoor  
T 1.52 Jonction tunnel pour structure LED LETI (Feuillet) CRHEA Victor Fan Arcara  
T 2.52 Lasers à microdisque injectés électriquement et lasers avec des matériaux 2D sur plate-forme nanophotonique nitrure sur silicium IEF (Boucaud) INAC Farsane Tabataba-Vakili  
T 3.51 Identification et analyse physico-expérimentale des modes et mécanismes de défaillance des composants GaN de puissance LAAS
(Trémouilles)
EXAGAN Dany Hachem  
T 4.51 Épitaxie d'hétérostructures HEMT innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN 3-5 Lab
(Gamara)
CRHEA Nadia El Bondry  
T 4.53 Co-intégration de HEMT GaN hyperfréquence Normally-off avec des Normally-on 3-5 Lab
(Aubry)
IEMN Sébastien Aroulanda  
T 4.54 Fabrication de transistors HEMTs haute fiabilité sur substrat GaN haute qualité IEMN
(De Jaeger)
LAAS Mohamed Reda Irekti  
T 4.55 Optimisation des pertes RF dans les HEMTs GaN sur substrat silicium pour la fabrication de transistors fonctionnant à 40GHz et au-delà CRHEA
(Cordier)
IEMN Mario Khoury  
T 5.51 Accéléromètre MEMS en GaN à grande étendue de mesure IEMN
(Faucher)
  Gianluca Carcia  
T 7.52 Contrôle de l’homogénéité et de la composition x en indium dans les nanofils InxGa1-xN synthétisés par HVPE I.Pascal
(Trassoudaine)
  Mohammed Zeghouane  
T 7.54 Etude de défauts profonds dans le nitrure de bore L2C (Cassabois) LPS Thomas Pelini  

Total: 11 thèses, dont certaines en cofinancement, et sous réserve du cofinancement.

Post docs

Projet

Sujet

Laboratoire

Durée (mois)

Candidat

PD 5.51 Filière GaN sur Si (MEMS ; HEMT) IEMN
(Faucher)
12 mois Valeria Lacatena
PD 6.51 Piezo-generators based on heterostructured III-Nitride NWs LPN
(Gogneau)
12 mois Nikoletta Jegenyes
PD 7.52 Templates AlN sur Silicium (prolongation) CRHEA
(Semond)
6 mois Stéphanie Rennesson
PD 7.53 BN pour l’intégration de composants opto/électroniques UMI-GT
(Salvestrini)
12 mois Xin Li

Total : 4.5 an de post doc

Projets exploratoires

Projet

Sujet

Partenaire 1

Partenaire 2

Coût (k€)

PE 1.52 Jonction tunnel pour LED UV CRHEA
(Brault)
LETI-IEF 9 k€
PE 2.51 BN liftoff LPN
(Bouchoule)
UMI-GT 10 k€
PE 3.51 Innovative thermal management in GaN-on-Si power devices integrated within backside trenches IEMN
(Medjdoub)
  14 k€
PE 4.53 Transistors HEMT AlN/GaN/AlN épitaxiés sur silicium CRHEA
(Semond)
  12 k€
PE 5.51 Des nanofils coeur/coquille GaN/Ga2O3 à la détection de gaz LPN
(Gogneau)
  10 k€
PE 5.52 Piézorésistance et piézoélectricité dans le GaN : du dopage au transducteur MEMS IEMN (Faucher) CRHEA 15k€
PE 5.53 Modulation des propriétés optiques de membranes de GaN/InGaN via un actionnement piézoélectrique CRHEA (Damilano) IEMN 10 k€
PE 5.54 Réalisation d’une sonde échographique de type PMUT à base de GaN GREMAN
(Alquier)
IEMN, CRHEA 20 k€

Total : 8 PE pour un total de 100 k€.

Stages

Projet

Sujet

Partenaire (Encadrant)

Candidat

Durée (mois)

Période

S1.51 BQ UV CRHEA (Brault) Takfarinas Belayel 3  
S2.51 Metasurfaces CRHEA (Genevet) Mathieu Chassoulier 2  
S2.52 VCSEL UV LPN (Bouchoule) Jérémie Arotce 4  
S7.51 NW InGaN INAC (Daudin)   3

Total : 12 mois.
Les stages sont supportés au niveau de l’indemnité CNRS-Université, de 546 € par mois

Investissement

Projet

Sujet

Partenaire

Coût (k€)

Inv 4.51 Extension en bande Ka d’un banc de stress thermique et RF pour l’analyse et le suivi des défauts électriques dans les transistors et circuits GaN LAAS (Tartarin) 55
Inv 7.51 Four de croissance de Nitrures à Haute Température CRHEA (Michon) 116
Inv 7.52 Cryostat circuit fermé He L2C (Gil) 72

Décharges d’enseignement

Aucune demande

Cours hors site en M1, de Benjamin Damilano à Orléans

Porteurs : Arnaud Stolz (Orléans) / Benjamin Damilano (CRHEA)
Mise en place d’un cours et d’un TP de fabrication de LED à Polytech Orléans. Le CRHEA fournira des plaques épitaxiées brutes.

TOTAL : 5 k€

Chaire

La demande de Elhadj Dogheche (IEMN) d’invitation du Professeur Jr-Hau (J.H.) He a été acceptée. Budget 3.5k€. JH He sera accueilli 2 semaines, au sein de l’IEMN Lille. Il proposera 2 séminaires sur les matériaux pour la photonique et à l’optoélectronique, les perspectives d’application des nitrures dans le cas de la haute fréquence.