Thèse 3.4 | HEMT n-off sur GaN/Si
200mm, compatible CMOS Normally off HEMT on 200 mm CMOS compatible GaN /Si |
LETI 70% Cofin. 50% |
AMPERE 30% | Damien Barranger | 20/12/2017 |
Thèse 4.1 | Détecteurs,
amplificateurs et sources THz à base d’hétérostructures
GaN Emission, amplification and detection of THz based on GaN heterostructures |
IEF | LN2 Financement |
Hélène Spisser | 14/02/2017 |
Thèse 4.3 | Evaluation de la fiabilité
des HEMTs GaN sur substrat silicium à grille nanométrique Reliability of GaN HEMTs for power application at f>40GHz |
IMS Cofin. CNRS 50% |
IEMN - OMMIC | Hadhemi Lakhdhar | 20/11/2017 |
Thèse 7.4 | Synthèse de
nanofils InGaN par le procédé HVPE et analyse optique Growth and characterization of InGaN nanowires by HVPE |
Institut Pascal (A. Trassoudaine, J. Leymarie) | Elissa Roche | 10/11/2016 | |
Thèse 7.5 | Etude
à l’échelle atomique par MET des interfaces nitrures d’éléments III/ oxydes TEM investigation of III-Nitrides/oxides interfaces at the atomic scale |
CRHEA (P. Vennéguès) | IKZ (M. Albrecht) 50% | Natalia Stolyarchuk | 17/11/2017 |
Thèse 7.6 | EJM et caractérisation
optique d’hétérostructures de nanofils GaN/AlGaN émettant
dans l’UV MBE growth and optical characterization of heterostructures in GaN/AlGaN nanowires emitting in the UV |
INAC (B. Daudin) | Matthias Belloeil | 12/05/2017 | |
Thèse 7.7 | Nouvelles
plate-formes pour la croissance de nanofils III-N New templates for the growth of III-N nanowires |
LPN (J.-C. Harmand), St Gobain (E. Sondergard) | IEF (M. Tchernycheva) | Vishnuvarthan Kumaresan | 22/11/2016 |
Total: 8 thèses pour un total de 5.5 thèses pleines
PDc 5.2 | Emetteurs
GaN pour l’imagerie biologique : substrats actifs GaN pour l’excitation
de biomolécules Active substrates based on GaN for exciting biomolecules |
LPN |
18 | Maia Brunstein |
PDc 6.2 | Réalisation
de cellules photovoltaïques à base d’InGaN InGaN based photovoltaic cells |
UMI-GT |
12 | Suresh Sundaram |
Total : 2.5 ans de post doc
Expérience de corrélation de photons dans le proche-UV Photon correlation experiment in the UV |
20 k€ | L2C | |
Imaginer l'environnement physique et électronique des composants
GaN de puissance. Physical and electronic environment of GaN power devices |
20 k€ | G2ELab | AMPERE, LETI |
Contact ohmique ré-épitaxiés Regrown ohmic contacts |
20 k€ | IEMN | CRHEA |
Opto-mecanique avec des cristaux photoniques nitrure Optomechanics based on GaN photonic crystals |
15 k€ | LPN | CRHEA |
Conception de piézo-générateurs à base de
nanofils nitrures pour l’alimentation d’objets nomades électroniques Piezogenerators based on GaN nanowires for portable electronics devices |
20 k€ | IEF | LPN |
Local manipulation of mechanical induced piezo-potential in single III-Nitride nanowires | 20 k€ | INAC |